(101)面生长双轴应变Si带边模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Si 带边 k·p法
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1670-1673
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.006

摘要

采用结合形变势理论的k·p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[001],[100]及[100]方向能谷构成了该应变Si的导带带边,其能量值随Ge组分的增加而增加;导带劈裂能与Ge组分成正比例线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小.该模型可获得量化的数据,为器件研究设计提供有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0