GaNxAs1-x/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

• 作者: 张永航 郭长志 陈水莲
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 关键词: GaNAs 带阶 光荧光
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 25-29
• 页数: 6页
• 字数: 4507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.01.001

摘要

用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与温度的关系,发现GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中的发光是本征带- 带跃迁,并且低温发光是局域激子发光.通过自洽计算发现它的导带带阶(ΔEc)与氮含 量的关系不是纯粹的线性关系,其平均变化速率(0.110eV/N%)比文献中报道的要慢得多(0.15 6～0.175eV/N%),此外发现Qc(=ΔEc／ΔEg)随氮含量的变化很小,可以用Qc≈x 0.25来表示.还研究了GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中氮含量的变化对 能带弯曲参数(b)的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭长志	北京大学物理系	3	3	1.0	1.0
2	陈水莲	清华大学数学系	1	0	0.0	0.0