稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

• 作者: 刘昭麟 夏长生 李天信 王茺 陆卫 陈平平 陈效双
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压电调制反射光谱(PzR) GaNxAs1-x薄膜 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3636-3641
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 6004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.073

摘要

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%-3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+△1+△N.当N掺杂浓度达到1%时,开始在PzR谱和PR谱中观测到Г价带的轻重空穴分裂.给出室温下GaNxAs1-x材料的临界点能量随掺杂浓度的关系图,实验结果为E+和E*两个跃迁同起源于L导带提供了室温下的佐证.