赝形δ掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs量子阱的光致发光性质研究

• 作者: 孔梅影 常勇 曹昕 曾一平 桂永胜 王晓光 褚君浩
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-HEMTs 量子阱 光致发光
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 333-337
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 3915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.05.003

摘要

测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
2	王晓光	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	38	172	7.0	11.0
3	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
4	曹昕	中国科学院半导体研究所新材料部	2	10	1.0	2.0
5	常勇	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	20	146	6.0	11.0
6	桂永胜	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	7	14	3.0	3.0