Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究

• 作者: 刘素平 刘翠翠 曼玉选 林楠 熊聪 赵碧瑶 马骁宇
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱半导体激光器 光学灾变损伤 量子阱混杂 蓝移
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 原创文章
• 页码范围: 203-216
• 页数: 14页
• 分类号: TN248.4|TN314+.3
• 字数: 4676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20201301.0203

摘要

光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命.通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法.本文选择了Si杂质作为量子阱混杂的诱导源,使用金属有机化学气相沉积设备生长了InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光器外延结构、Si杂质扩散层及Si3N4保护层.热退火处理后,Si杂质扩散诱导量子阱区和垒区材料互扩散,量子阱禁带变宽,输出波长发生蓝移.退火会影响外延片的表面形貌,而表面形貌则可能会影响后续封装工艺中电极的制备.结合光学显微镜及光致发光谱的测试结果,得到825℃/2 h退火条件下约93 nm的最大波长蓝移量,也证明退火对表面形貌的改变,不会影响波长蓝移效果及后续电极工艺.