无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究

• 作者: 张晓丹 王永晨 赵杰
• 来源期刊: 天津师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 无杂质空位诱导无序(IFVD) 量子阱(QW) 光荧光谱(PL) 二次离子质谱(SIMS)
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 33-35，45
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|TN365
• 字数: 2345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2001.03.010

摘要

用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生空位,并经快速热退火处理,产生扩散. 实验结果表明,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关,最佳退火条件是800℃, 10 s. 同时二次离子质谱(SIMS)的分析表明,电介质盖层Si3N4和快速热退火(RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩,这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理与电子信息学院	40	171	8.0	11.0
2	张晓丹	天津师范大学物理与电子信息学院	4	7	2.0	2.0
3	王永晨	天津师范大学物理与电子信息学院	16	24	3.0	4.0