GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能

• 作者: 封松林 尹新 王海龙 龚谦
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 束缚能 变分法 氢施主杂质 阶梯量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 236-242
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2013.02.018

摘要

在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响.计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布；Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能.计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海龙	曲阜师范大学物理工程学院	35	123	6.0	9.0
2	封松林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	296	8.0	16.0
3	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0
4	尹新	曲阜师范大学物理工程学院	1	6	1.0	1.0