压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

• 作者: 温淑敏 班士良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: O471.3
• 字数: 3766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.013

摘要

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	温淑敏	内蒙古大学理工学院物理系	2	18	2.0	2.0