外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响

• 作者: 李士玲 李正 王海龙 陈丽 陈莎 龚谦
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 激子结合能 变分法 InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱 电场 磁场
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 117-122
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2017.01.019

摘要

在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势.计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海龙	曲阜师范大学物理工程学院	35	123	6.0	9.0
2	李正	曲阜师范大学物理工程学院	5	1	1.0	1.0
3	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0
4	陈丽	曲阜师范大学物理工程学院	5	7	1.0	2.0
5	李士玲	曲阜师范大学物理工程学院	9	9	1.0	3.0
6	陈莎	曲阜师范大学物理工程学院	3	1	1.0	1.0