GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面

• 作者: 关荣华 刘建军 杨国琛 苏会
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致电离截面 束缚能 类氢杂质 量子阱线
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 561-566
• 页数: 6页
• 分类号: O741.1
• 字数: 1596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.001

摘要

通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关荣华	河北工业大学物理所	39	221	8.0	12.0
5	刘建军	河北师范大学物理学院	35	247	9.0	15.0
7	杨国琛	河北工业大学物理所	19	81	6.0	8.0
10	苏会	中国科学院物理研究所	1	5	1.0	1.0