Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高

• 作者: 彭长四 徐超 王文新 石震武 邓长威 陈晨 陈林森 霍大云
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀氮化物 分子束外延 量子阱 应变弛豫 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1056-1062
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 字数: 894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173808.1056

摘要

InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放.对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多.