δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱

• 作者: 丛伟艳 孟祥艳 翟剑波 郑卫民 黄海北
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 拉曼光谱 多量子阱 打靶法 受主能级
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 278-282
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00278

摘要

通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 (A),并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1 S3/2(Γ6)到第一激发态能级2S3/2(Г6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好.