AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱

• 作者: 刘桂强 孟耀勇 范广涵 陈练辉
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 AlGaInP/GaInP MQW 拉曼光谱 耦合电子(空穴)气-纵光学声子模
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 859-862
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O433.5
• 字数: 2501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.06.029

摘要

利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
3	孟耀勇	华南师范大学激光生命科学研究所	22	157	6.0	12.0
4	刘桂强	华南师范大学激光生命科学研究所	11	49	5.0	6.0