量子阱结构对GaInP/Ga(In)As/Ge电池的光谱响应改善

• 作者: 刘海港 孙强 孙彦铮 王保民 王帅 许军
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 周期应变平衡量子阱结构 三结级联太阳电池 电流匹配 光谱响应 量子效率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 113-114
• 页数: 2页
• 分类号: TM914
• 字数: 2021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2008.02.012

摘要

采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GainP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王帅	中国电子科技集团公司第十八研究所	17	37	3.0	5.0
2	孙强	中国电子科技集团公司第十八研究所	32	139	7.0	10.0
3	孙彦铮	中国电子科技集团公司第十八研究所	12	53	5.0	6.0
4	许军	中国电子科技集团公司第十八研究所	16	27	3.0	4.0
5	刘海港	中国电子科技集团公司第十八研究所	3	5	1.0	2.0
6	王保民	中国电子科技集团公司第十八研究所	3	10	2.0	3.0