谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

• 作者: 邵军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 谱导数法 吸收谱 反射谱 多量子阱 激子
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2534-2540
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.033

摘要

在简要讨论谱导数法物理机理的基础上, 给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的成功应用实例. 比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别. 指出了谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的重要性和易行性.