Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

• 作者: 周天明 李述体 范广涵 谭春华 雷勇 黄琨
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 436-439
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.025

摘要

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	黄琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	78	4.0	8.0
3	谭春华	华南师范大学光电子材料与技术研究所	20	92	6.0	8.0
4	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
5	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0
6	雷勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	76	4.0	8.0