掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

• 作者: 周天明 孙慧卿 李述体 王浩 范广涵 郑树文 郭志友
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多量子阱 AlGaInP MOCVD Si掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1159-1163
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.018

摘要

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	王浩	华南师范大学光电子材料与技术研究所	14	108	5.0	10.0
3	郭志友	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	336	12.0	17.0
4	孙慧卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	25	272	9.0	16.0
5	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
6	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
7	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0