干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹春芳 曹萌 谢正生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 467-470
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.119

摘要

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.