GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计

• 作者: 刘恩科 李国正 李娜 李宁 沈学础 陆卫
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GeSi/Si多量子阱 光波导 吸收层
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 203-208
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1998.03.009

摘要

根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响.并结合吸收特点对MQW吸收层结构进行优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	304	5119	38.0	59.0
2	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	95	442	12.0	16.0
3	李娜	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	207	2106	25.0	37.0
4	刘恩科	西安交通大学电子工程系	4	73	2.0	4.0
5	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	17	41	3.0	6.0
6	李国正	西安交通大学电子工程系	8	41	2.0	6.0