不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱

• 作者: 曹文彧 杜为民 邢兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In团簇 InGaN 变温PL 激活能
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 864-869
• 分类号: O482.31
• 字数: 2536字
• 语种: 中文

摘要

通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系.说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关.对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜为民	北京大学物理学院	17	134	6.0	11.0
2	邢兵	北京大学物理学院	2	16	1.0	2.0
3	曹文彧	北京大学物理学院	2	17	2.0	2.0