GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究

• 作者: 周志强 孙维国 彭震宇 牛智川 许应强 郝瑞亭 郭杰 鲁正雄
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超晶格 InAs/GaSb红外探测器 分子束外延 光谱响应
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 165-167,228
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2009.03.002

摘要

采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML)和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率D·bb均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器D·bb超过108cmHz1/2/W.