InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究

• 作者: 何力 吴佳 徐志成 陈建新
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/Ga (As)Sb Ⅱ类超晶格 湿法腐蚀 表面形貌
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 549-553
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 1008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.05.001

摘要

开展了InAs基InAs/Ga (As) SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga (As) SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga (As) SbⅡ类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1 nm.然后使用改进的工艺制备了50％截止波长为12 μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga (As) SbⅡ类超晶格长波红外探测器.另外,在81K下,该探测器的表面电阻率(ρSurface)为4.4×103Ωcm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何力	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	54	417	13.0	17.0
2	陈建新	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	56	564	13.0	21.0
3	徐志成	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	29	245	9.0	15.0
4	吴佳	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	8	62	3.0	7.0