InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应

• 作者: 丁瑞军 何力 周易 徐志成 王芳芳 白治中 许佳佳 陈建新 陈洪雷 靳川 黄爱波
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: γ辐照 实时辐照效应 长波红外探测器 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 688-693
• 页数: 6页
• 分类号: TN21
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.06.009

摘要

研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γy辐照效应.在60Co源γ辐照下器件的电流-电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad (Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4％,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤.