InAs/(In)GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器研究现状

• 作者: 余连杰 史衍丽 田亚芳
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 红外探测器 第三代焦平面
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 621-626
• 页数: 6页
• 分类号: TN213
• 字数: 2387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.11.001

摘要

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料.对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,旨在尽快发展属于我国的第三代InAs/(In)GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	余连杰		24	105	6.0	8.0
3	田亚芳		2	17	2.0	2.0