320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外双色焦平面探测器

• 作者: 丁瑞军 何力 周易 姚华城 徐志成 白治中 陈建新 陈洪雷
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb 超晶格 双色 焦平面
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 716-720
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 字数: 4008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.015

摘要

报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超品格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50％响应截止波长分别为4.2 μm和5.5 μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10m cmHz1/2W-1,盲元率为8.6％;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×109 cmHz1/2W-1,盲元率为9.8％.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.