InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀

• 作者: 司俊杰 吕衍秋 姚官生 孙维国 张利学 张向锋 张小雷
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 InAs/GaSbⅡ类超晶格 MBE ICP干法刻蚀 湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 472-476
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00472

摘要

研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.