InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术

• 作者: 何力 吕翔 周易 徐庆庆 李天兴 陈建新
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb 超晶格 分子束外延
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 406-408,438
• 分类号: TN213
• 字数: 2693字
• 语种: 中文

摘要

报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外廷生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配△a/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87 μm.