用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长

• 作者: 尹飞 张立臣 杨瑾 殷景致 汪韬 王警卫 胡雅楠
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb超晶格 禁带宽度 金属有机物化学气相淀积法(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 511-513,550,555
• 分类号: TN215
• 字数: 3545字
• 语种: 中文

摘要

用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量.