InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究

• 作者: 何力 周易 徐庆庆 徐志成 王芳芳 白治中 许佳佳 陈建新 黄敏
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电感耦合等离子 刻蚀 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 焦平面
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 171-174
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 字数: 3221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.008

摘要

报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料.结果 表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值.当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点.在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小.