硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

• 作者: 周星飞 张翔九 施斌 樊永良 胡冬枝 蒋伟荣 蒋最敏 龚大卫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 Ge 生长
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 765-769
• 页数: 8页
• 分类号: O485
• 字数: 5281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.007

摘要

研究了硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点自组织生长的影响.硼原子的数量由0单原子层变到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.当硼原子的数量为0.2单原子层时,获得了底部直径为60±5nm,面密度为6×109cm-2,且均匀性很好的Ge量子点.另外,还简单讨论了硼原子对Ge量子点自组织生长影响的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施斌	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	18	196	8.0	14.0
2	蒋伟荣	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	12	2.0	3.0
3	周星飞	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	胡冬枝	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
5	张翔九	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	6	16	3.0	4.0
6	樊永良	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	15	3.0	3.0
7	龚大卫	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
8	蒋最敏		1	0	0.0	0.0