多层Ge量子点的生长及其光学特性

• 作者: 李志坚 王吉林 邓宁 陈培毅 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相淀积 多层锗量子点 PL谱
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 951-954
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.012

摘要

用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV),Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)为46meV,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
2	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
3	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
4	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
5	王吉林	清华大学微电子学研究所	8	41	4.0	6.0