微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

• 作者: 余金中 左玉华 成步文 李传波 毛容伟 王启明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微腔 光致发光 Ge量子点 调制
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.006

摘要

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	左玉华	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	18	70	6.0	7.0
4	毛容伟	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	8	32	4.0	5.0
5	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
6	李传波	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	10	38	4.0	6.0