纳米Ge薄膜的制备及光致发光特性研究

• 作者: 杨宇 高立刚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 纳米Ge薄膜 拉曼散射 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 963-967
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.001

摘要

采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜.应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构.结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移.用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学化学与材料工程学院	101	377	9.0	12.0
2	高立刚	云南大学化学与材料工程学院	5	26	3.0	5.0