Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

• 作者: 庞世谨 张永平 彭毅萍 闫隆 高鸿钧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 扫描隧道显微镜,Si(111)7×7表面,Ge团簇
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 2132-2136
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.11.018

摘要

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Sj(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧	中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室	44	262	10.0	14.0
2	张永平	中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室	6	26	3.0	5.0
3	庞世谨	中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室	4	6	1.0	2.0
4	闫隆	中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室	11	17	2.0	4.0
5	彭毅萍	中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室	2	0	0.0	0.0