C_(60)分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究

• 作者: 孙静静 梁齐 王丹 赵明海 邹志强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C_(60)分子 分子束外延 Si(111)-7×7 超高真空扫描隧道显微镜
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 636-642
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C_(60)分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞(unfaulted half unit cell),C_(60)更易于吸附在有层错半胞(faulted half unit cell).表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C_(60)分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位置的直径和高度,发现由于不同位置分子与衬底的相互作用强度的不同,其分子直径和高度也存在一定差异.还研究了C_(60)分子在Si(111)-7×7表面的多层生长模式,并且通过600℃退火处理在硅表面形成了有序的单层结构,从而实现了C_(60)分子在硅表面从Stanski-Krastanov三维岛状模式到Frank-van der Merwe层状生长模式的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	上海交通大学分析测试中心	51	256	9.0	13.0
2	梁齐	上海交通大学分析测试中心	10	70	4.0	8.0
3	邹志强	上海交通大学分析测试中心	10	19	2.0	4.0
4	孙静静	上海交通大学分析测试中心	5	14	2.0	3.0
5	赵明海	上海交通大学物理系	3	3	1.0	1.0