As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二次离子质谱 分子束外延 碲镉汞 砷掺杂
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 347-350
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.05.006

摘要

报道了用二次离子质谱分析(SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果.发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低,并与Hg的介入密切相关.对于单晶HgCdTe外延,在170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为3×10-4,在此生长温度下,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料.通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度.