Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制

• 作者: 傅祥良 沈川 王伟强 郭余英 陈路 顾仁杰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 热退火 位错 分子束外延
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 490-494
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3122字
• 语种: 中文

摘要

基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μnn的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105 cm-2.