分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

• 作者: 乔怡敏 于梅芳 何力 巫艳 王善力 陈路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 HgCdTe 表面缺陷
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 406-410
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.06.002

摘要

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷.借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件.发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关.获得的外延层表面缺陷(尺寸大于2 μm)平均密度为300 cm-2,筛选合格率为65%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何力	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	54	417	13.0	17.0
2	陈路	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	14	27	4.0	4.0
3	王善力	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	4	12	2.0	3.0
4	巫艳	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	4	35	3.0	4.0
5	于梅芳	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	2	5	1.0	2.0
6	乔怡敏	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心	3	7	2.0	2.0