CdZnTe中富碲沉积相缺陷引起的液相外延HgCdTe薄膜表面缺陷

• 作者: 吴军 左大凡 张阳 木胜 李东升
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 富碲沉积相 液相外延 碲镉汞 碲锌镉 表面缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 728-733
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 5114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.016

摘要

为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹陷坑缺陷以及三角形凹陷坑聚集区;在液相外延过程中,高温碲镉汞熔液与CdZnTe衬底间的回熔作用可以减少与富碲沉积相相关的表面缺陷,薄膜表面缺陷与衬底表面富碲沉积相的匹配度与回熔深度负相关;回熔过程以及富碲沉积相形态、深度影响HgCdTe薄膜表面缺陷形态和分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴军		11	22	3.0	4.0
2	张阳		8	5	2.0	2.0
3	李东升		27	43	3.0	4.0
4	木胜		2	0	0.0	0.0
5	左大凡		4	2	1.0	1.0