HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制

• 作者: 孙士文 张传杰 徐庆庆 方维政 杨建荣 陈晓静 魏彦锋
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲镉汞 液相外延 表面缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 246-248
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2009.04.002

摘要

研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜.