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液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性
液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性
作者:
吴军
姬荣斌
孔金丞
杨宇
陈建才
马庆华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
液相外延
HgCdTe
组分均匀性
摘要:
利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜.
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过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响
碲镉汞
过冷度
厚度均匀性
液相外延
内容分析
文献信息
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文献信息
篇名
液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
液相外延
HgCdTe
组分均匀性
年,卷(期)
2005,(3)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
513-516
页数
4页
分类号
TN304.2+5
字数
2091字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨宇
云南大学材料科学与工程系
101
377
9.0
12.0
2
姬荣斌
昆明物理研究所红外材料研发中心
50
200
7.0
10.0
3
吴军
昆明物理研究所红外材料研发中心
11
22
3.0
4.0
4
马庆华
云南大学材料科学与工程系
12
47
4.0
6.0
6
陈建才
昆明物理研究所红外材料研发中心
6
31
4.0
5.0
9
孔金丞
云南大学材料科学与工程系
1
5
1.0
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传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
(3)
共引文献
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参考文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
(3)
二级引证文献
(8)
1979(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1982(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1985(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1988(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1989(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1991(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1997(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2006(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2007(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(0)
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2013(1)
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2014(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
2015(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
液相外延
HgCdTe
组分均匀性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
期刊文献
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半导体学报(英文版)2000
半导体学报(英文版)2005年第z1期
半导体学报(英文版)2005年第9期
半导体学报(英文版)2005年第8期
半导体学报(英文版)2005年第7期
半导体学报(英文版)2005年第6期
半导体学报(英文版)2005年第5期
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半导体学报(英文版)2005年第3期
半导体学报(英文版)2005年第2期
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