HgCdTe外延薄膜临界厚度的理论分析

• 作者: 杨建荣 王庆学 魏彦锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgCdTe/CdZnTe 临界厚度 位错滑移理论 失配位错
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5814-5819
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.053

摘要

基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论,研究了生长方向分别为[111]和[211]晶向,HgCdTe外延薄膜临界厚度与CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的关系.结果表明,HgCdTe外延薄膜临界厚度依赖于CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的变化.对于厚度为10μm,生长方向为[111]晶向的液相外延HgCdTe薄膜,要确保HgCdTe/CdZnTe无界面失配位错的前提条件,是CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动必须分别在±0.225‰和±5‰范围内;而对于相同厚度,生长方向为[211]晶向的分子束外延HgCdTe薄膜,CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动范围分别为±0.2‰和±4‰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆学	中国科学院上海技术物理研究所	14	65	5.0	7.0
2	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所	22	117	6.0	9.0
3	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所	38	175	7.0	11.0