基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
设计了一种使用良好的石墨舟,建立了一套能进行开管液相外延的系统,并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有很大的改善,残留母液大为减少,外延薄膜的组分比较均匀,其电学性能得到较大改善,HgCdTe外延薄膜与CdZnTe衬底之间的互扩散非常少,外延膜的晶体结构也较完整.
推荐文章
碲镉汞富碲垂直液相外延技术
半导体技术
碲镉汞外延材料
液相外延
垂直浸渍外延
液相外延碲镉汞表面化学腐蚀研究
碲镉汞
化学腐蚀
原子力显微镜
X射线光电子能谱
液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善
石墨舟
碲镉汞
组分均匀性
LPE
碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应
液相外延
碲锌镉衬底
汞腐蚀
粗糙度
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 碲镉汞的液相外延生长
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 碲镉汞 液相外延生长 开管液相外延系统 CdZnTe衬底
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 613-617
页数 5页 分类号 TN304.2+2
字数 3381字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈建才 6 31 4.0 5.0
2 黄仕华 昆明理工大学理学院 7 36 3.0 6.0
3 何景福 1 10 1.0 1.0
4 雷春红 2 10 1.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (3)
节点文献
引证文献  (10)
同被引文献  (7)
二级引证文献  (84)
1985(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1988(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1991(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2002(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2003(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2004(3)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(2)
2005(9)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(6)
2006(9)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(7)
2007(8)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(8)
2008(7)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(7)
2009(5)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(5)
2010(8)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(8)
2011(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2012(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2013(7)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(6)
2014(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2015(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2016(4)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(3)
2017(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2018(8)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(8)
2019(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
碲镉汞
液相外延生长
开管液相外延系统
CdZnTe衬底
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导