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摘要:
设计了一种使用良好的石墨舟,建立了一套能进行开管液相外延的系统,并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有很大的改善,残留母液大为减少,外延薄膜的组分比较均匀,其电学性能得到较大改善,HgCdTe外延薄膜与CdZnTe衬底之间的互扩散非常少,外延膜的晶体结构也较完整.
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文献信息
篇名 碲镉汞的液相外延生长
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 碲镉汞 液相外延生长 开管液相外延系统 CdZnTe衬底
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 613-617
页数 5页 分类号 TN304.2+2
字数 3381字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈建才 6 31 4.0 5.0
2 黄仕华 昆明理工大学理学院 7 36 3.0 6.0
3 何景福 1 10 1.0 1.0
4 雷春红 2 10 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
碲镉汞
液相外延生长
开管液相外延系统
CdZnTe衬底
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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