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碲镉汞的液相外延生长
碲镉汞的液相外延生长
作者:
何景福
陈建才
雷春红
黄仕华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碲镉汞
液相外延生长
开管液相外延系统
CdZnTe衬底
摘要:
设计了一种使用良好的石墨舟,建立了一套能进行开管液相外延的系统,并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有很大的改善,残留母液大为减少,外延薄膜的组分比较均匀,其电学性能得到较大改善,HgCdTe外延薄膜与CdZnTe衬底之间的互扩散非常少,外延膜的晶体结构也较完整.
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内容分析
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引文网络
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内容分析
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文献信息
篇名
碲镉汞的液相外延生长
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
碲镉汞
液相外延生长
开管液相外延系统
CdZnTe衬底
年,卷(期)
2001,(5)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
613-617
页数
5页
分类号
TN304.2+2
字数
3381字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈建才
6
31
4.0
5.0
2
黄仕华
昆明理工大学理学院
7
36
3.0
6.0
3
何景福
1
10
1.0
1.0
4
雷春红
2
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传播情况
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同被引文献
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二级引证文献
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参考文献(1)
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1988(1)
参考文献(1)
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1991(1)
参考文献(1)
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液相外延生长
开管液相外延系统
CdZnTe衬底
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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