碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究

• 作者: 孔金丞 李艳辉 李达 杨春章 覃钢
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲锌镉 中长波双色 碲镉汞 分子束外延
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2233字
• 语种: 中文

摘要

报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm-2,组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为?x≤0.001、?d≤0.9μm,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔金丞		26	70	4.0	6.0
2	李艳辉		14	24	3.0	4.0
3	杨春章		8	12	2.0	3.0
4	覃钢		8	9	2.0	2.0
5	李达		1	1	1.0	1.0