气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究

• 作者: 杨志远 杨玉林
• 来源期刊: 云南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲镉汞 气相外延 碲锌镉
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 139-141
• 页数: 3页
• 分类号: O782.9
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8513.2005.02.011

摘要

MOVPE(Metal-organic vapour phase epitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬底上生长HgCdTe薄膜,通过实验得出,碲锌镉衬底和GaAs衬底的晶片方向、结晶完整性、缺陷浓度及生长前衬底的处理工艺都会严重影响到碲镉汞薄膜表面特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志远	云南民族大学学生处	5	35	3.0	5.0
2	杨玉林	云南大学化学与材料工程学院	3	3	1.0	1.0