Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能

• 作者: 张可锋 张莉萍 徐国庆 杜云辰 林杏潮 焦翠灵 王仍 邵秀华 陆液
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 432-436
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 4696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.04.009

摘要

采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.