分子束外延碲镉汞薄膜的砷掺杂技术

• 作者: 李东升 覃钢
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 碲镉汞 As掺杂 退火 杂质激活
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 858-863
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4214字
• 语种: 中文

摘要

Ⅴ族元素 As 在碲镉汞中具有较小的扩散系数，在非本征 p 型掺杂中得到广泛应用，在 p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优势明显。对分子束外延掺 As 碲镉汞薄膜的几种生长技术的基本原理进行了简单介绍，并对各方法存在的优缺点进行了对比分析；同时对 As 杂质在碲镉汞材料中的掺杂形态、杂质激活退火工艺及杂质激活率等进行了总结分析。对 MBE As 掺杂在第三代多层膜结构器件的应用方面提出了建议。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李东升		27	43	3.0	4.0
2	覃钢		8	9	2.0	2.0