p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

• 作者: 何力 俞谦荣 夏义本 杨建荣 陈新强 黄根生
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 掺杂 霍尔测试 二次离子质谱 电学性质
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 91-94
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.02.003

摘要

利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本	上海大学材料科学与工程学院	111	725	13.0	19.0
2	杨建荣	中国科学院上海技物所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	38	175	7.0	11.0
3	陈新强	中国科学院上海技物所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	12	49	5.0	6.0
4	黄根生	中国科学院上海技物所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	4	7	2.0	2.0
5	俞谦荣	上海大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0