碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能

• 作者: 何力 杨建荣 陈新强 黄根生
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 化学
• 关键词: 液相外延 HgCdTe 组份 电学参数
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 145-148
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.02.015

摘要

用液相外延的方法在CdZnTe衬底上生长Hg 1-xCdxTe材料,获得了表面形貌好,位错密度低,组份均匀的碲镉汞外延材料,生长工艺对材料的参数控制有较好的重复性.外延材料经热处理后,材料的P型和N型电学参数都达到较好的水平,并具有良好的可重复性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	38	175	7.0	11.0
2	何力	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	54	417	13.0	17.0
3	陈新强	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	12	49	5.0	6.0
4	黄根生	中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心红外物理国家重点实验室	4	7	2.0	2.0