分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究

• 作者: 左大凡 李东升 李艳辉 李雄军 杨彦 王向前 薄俊祥 覃钢 铁筱莹
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 碲镉汞 原位p-on-n I-V曲线
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 820-824
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2858字
• 语种: 中文

摘要

研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术，研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性，利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量，并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度，对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	王向前		4	1	1.0	1.0
3	李艳辉		14	24	3.0	4.0
4	李东升		27	43	3.0	4.0
5	覃钢		8	9	2.0	2.0
6	左大凡		4	2	1.0	1.0
7	杨彦		4	4	1.0	2.0
8	薄俊祥		2	0	0.0	0.0
9	铁筱莹		1	0	0.0	0.0